高性價(jià)比 MCU 的價(jià)格戰(zhàn)

高性價(jià)比 MCU 是指那些在價(jià)格上具備競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)在性能和功能方面也能滿足特定應(yīng)用需求的微控制器。因此，“高性價(jià)比” 的定義通常需從性能、功能、成本、開發(fā)支持及應(yīng)用適配性等多個(gè)維度綜合考量，并非單純比較價(jià)格，需滿足“夠用且均衡” 的硬指標(biāo)。

   在 MCU 市場(chǎng) “內(nèi)卷” 加劇的背景下，高性價(jià)比 MCU 成為切實(shí)可行的破局路徑，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)從價(jià)格戰(zhàn)向價(jià)值戰(zhàn)轉(zhuǎn)型。近段時(shí)間以來，MCU 廠商在高性價(jià)比 MCU 領(lǐng)域頻頻發(fā)力，市場(chǎng)上涌現(xiàn)出一系列重磅產(chǎn)品。

兆易創(chuàng)新 GD32C231 系列開創(chuàng) “平價(jià)不低配” 時(shí)代

2025 年 6 月，兆易創(chuàng)新正式推出超值 GD32C231 系列入門型微控制器，進(jìn)一步擴(kuò)充了基于 Arm Cortex-M23 內(nèi)核的產(chǎn)品陣容。

   根據(jù)產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)，GD32C231 系列基于 Arm Cortex-M23 內(nèi)核，工作頻率最高可達(dá) 48MHz，配備最高 64KB 嵌入式 Flash 存儲(chǔ)器和最高 12KB SRAM 存儲(chǔ)器。同時(shí)，GD32C231 系列提供豐富的片上資源，包括 1 個(gè) 12 位 ADC、2 個(gè)模擬比較器、4 個(gè) 16 位通用定時(shí)器、1 個(gè) 16 位 PWM 高級(jí)定時(shí)器，以及 2 個(gè) SPI、2 個(gè) I2C、3 個(gè) USART 和 1 個(gè) I2S 等通信接口。

   除了高集成特性，GD32C231 系列還支持寬電壓、低功耗與高速喚醒。該系列 MCU 支持 2.3~5.5V 工作電壓，可在 - 40℃至 + 85℃溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行；提供多種電源管理模式，深度睡眠模式下電流低于 5μA；具備快速響應(yīng)能力，喚醒時(shí)間僅 2.6μs，完美平衡了低功耗與實(shí)時(shí)性需求。

   同時(shí)，GD32C231 系列具有出色的安全可靠性，其抗靜電能力優(yōu)異，達(dá)到 ESD 防護(hù)接觸放電 8KV（CD）和空氣放電 15KV（AD）的高標(biāo)準(zhǔn)；全 Flash/SRAM 采用 ECC 糾錯(cuò)設(shè)計(jì)，有效防止數(shù)據(jù)錯(cuò)誤；還集成了硬件 CRC 循環(huán)冗余校驗(yàn)?zāi)K。

    當(dāng)然，配套開發(fā)資源也是性價(jià)比的重要組成部分。兆易創(chuàng)新為 GD32C231 系列提供完整的開發(fā)支持文檔和資源，涵蓋數(shù)據(jù)手冊(cè)、用戶手冊(cè)、硬件設(shè)計(jì)指南、應(yīng)用筆記和移植文檔，幫助開發(fā)者快速開展硬件設(shè)計(jì)與軟件開發(fā)工作。此外，兆易創(chuàng)新還提供完整的 SDK 固件庫，包含豐富的示例程序和開發(fā)板資料，提供從底層驅(qū)動(dòng)到高級(jí)應(yīng)用的全套解決方案，加速產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)程。

芯?？萍?nbsp;CS32F090 系列：大容量高性價(jià)比 MCU

2025 年 5 月，芯?？萍及l(fā)布大容量高性價(jià)比 MCU——CS32F090 系列。該系列 MCU 基于 32 位 ARM Cortex-M0 + 內(nèi)核，主頻高達(dá) 48MHz，內(nèi)置 256KB Flash 與 32KB SRAM，并配備豐富的模擬與數(shù)字外設(shè)，包括 12 位 SAR ADC、1 路 12 位 DAC、1 路運(yùn)算放大器（OPA）及模擬比較器（COMP）、5×USART、2×SPI、2×I2C、1 路 16 位高級(jí)控制定時(shí)器等。

      CS32F090 系列采用 - 40℃~85℃工業(yè)級(jí)工作溫度范圍與 1.7V~3.6V 超寬電壓設(shè)計(jì)，并提供低功耗模式，待機(jī)電流僅為 2.1μA，顯著延長了電池供電設(shè)備的使用壽命。該系列提供多種電源工作模式，以滿足不同的低功耗應(yīng)用需求，成為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的優(yōu)選方案，適用于電池保護(hù)、報(bào)警系統(tǒng)、手機(jī)平板、醫(yī)療血壓計(jì)等應(yīng)用場(chǎng)景。

小華半導(dǎo)體 HC32L021 系列引領(lǐng)低成本變革

2025 年 4 月，小華半導(dǎo)體發(fā)布新一代超低功耗微控制器產(chǎn)品 ——HC32L021 系列。該系列 MCU 基于 Arm Cortex-M0 + 內(nèi)核，主頻最高可達(dá) 48MHz，搭載 64KB Flash 和 6KB SRAM。值得注意的是，其支持 ±1.5%（全溫）的高精度內(nèi)部時(shí)鐘 RC48M。HC32L021 系列的片上資源包括：
·通信接口：2 組 LPUART 接口、1 組 SPI 接口、1 組 I2C 接口?
·模擬接口：1 組 12bit 1Msps ADC?
·定時(shí)器：1 組高級(jí)定時(shí)器（可支持互補(bǔ) PWM 輸出）、1 組低功耗定時(shí)器、2 組可靈活配置的通用 / 基本定時(shí)器、1 組實(shí)時(shí)時(shí)鐘 RTC?

     HC32L021 系列支持 1.8-5.5V 寬供電電壓，工作溫度范圍為 - 40-105℃，具備顯著的低功耗特性：動(dòng)態(tài)功耗低至 45μA/MHz@48MHz，深度休眠模式下低至 0.65μA。同時(shí)，HC32L021 系列產(chǎn)品品質(zhì)出色，ESD_HBM 達(dá)到 ±4KV。在產(chǎn)品質(zhì)量保障方面，小華半導(dǎo)體建立了嚴(yán)格的質(zhì)量管控體系，從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造到封裝測(cè)試，每個(gè)環(huán)節(jié)都經(jīng)過多重檢測(cè)與驗(yàn)證，確保產(chǎn)品的穩(wěn)定性與可靠性。

    小華半導(dǎo)體表示，該系列產(chǎn)品的成本已與傳統(tǒng) 8/16 位 MCU 相當(dāng)，甚至在特定應(yīng)用場(chǎng)景下更具成本競(jìng)爭(zhēng)力。在市場(chǎng)變革浪潮中，HC32L021 憑借卓越的綜合性能，展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)適應(yīng)性和廣闊的應(yīng)用潛力。

瑞薩電子 RA2L2 系列滿足最新標(biāo)準(zhǔn)

2025 年 6 月，瑞薩電子推出具有超低功耗的 RA2L2 微控制器（MCU）產(chǎn)品組，該產(chǎn)品在業(yè)界率先支持新的 UCB-C Revision 2.4 標(biāo)準(zhǔn)。

RA2L2 系列基于 Arm Cortex-M23 內(nèi)核，主頻為 48MHz，搭載 128-64KB 閃存、16KB SRAM 和 4KB 數(shù)據(jù)閃存。值得關(guān)注的是，新的 USB Type-C 電纜和連接器規(guī)范版本 2.4 降低了電壓檢測(cè)閾值 ——1.5A 電源為 0.613V，3.0A 電源為 1.165V。RA2L2 MCU 是業(yè)界首款支持這些新級(jí)別的 MCU。

RA2L2 系列提供豐富的片上資源，包括 USB-C、USB-FS、CAN、低功耗 UART、SCI、SPI、I3C、I2S、12 位 ADC（17 通道）、低功耗定時(shí)器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘、高速片上振蕩器（HOCO）、溫度傳感器。其采用專有的低功耗技術(shù)，活動(dòng)模式下功耗為 87.5μA/MHz，軟件待機(jī)電流僅為 250nA。此外，還為低功耗 UART 提供獨(dú)立的工作時(shí)鐘，可用于在接收來自 Wi-Fi 和 / 或藍(lán)牙 ® LE 模塊的數(shù)據(jù)時(shí)喚醒系統(tǒng)。

瑞薩電子指出，RA2L2 MCU 由瑞薩電子的靈活配置軟件包（FSP）提供支持，涵蓋多個(gè) RTOS、BSP、外設(shè)驅(qū)動(dòng)程序、中間件、連接和網(wǎng)絡(luò)，簡化了現(xiàn)有 IP 與其他 RA 設(shè)備之間的遷移過程。另外，更高的集成度使設(shè)計(jì)人員能夠減少組件數(shù)量，從而節(jié)省成本、電路板空間和功耗。

高性價(jià)比MCU“夠用且均衡” 的共性

如前文所述，“高性價(jià)比” 的定義通常圍繞性能、功能、成本、開發(fā)支持及應(yīng)用適配性等多維度綜合考量，因此各大廠商都給出了自己的解決方案。

從內(nèi)核選擇來看，Arm Cortex-M0+、Arm Cortex-M23 和 Arm Cortex-M33 內(nèi)核成為高性價(jià)比 MCU 的主要選項(xiàng)，這三款內(nèi)核在性能、功耗、安全性與成本方面表現(xiàn)均衡。其中，Arm Cortex-M0 + 已成為低成本與超低功耗的標(biāo)桿；Arm Cortex-M23 實(shí)現(xiàn)了低功耗與安全增強(qiáng)的平衡；Arm Cortex-M33 則是高性能與安全表現(xiàn)俱佳的內(nèi)核。
   
  存儲(chǔ)資源也發(fā)生了巨大變化。以往，存儲(chǔ)資源是限制因素，許多算法需精簡后才能部署，甚至無法部署。如今，MCU 普遍將 Flash 容量提升至 64KB 以上，部分 MCU 的存儲(chǔ)資源更是超過 1MB。這不僅降低了外部 SPI Flash 的成本，也順應(yīng)了端側(cè) AI 發(fā)展的大趨勢(shì)。在外設(shè)方面，很多 MCU 開始主打 “All in One” 特性，在通信、模擬和數(shù)字外設(shè)方面進(jìn)行全面配置，降低客戶的 BOM 成本。不過，廠商并非盲目增加片上資源，而是針對(duì)目標(biāo)市場(chǎng)進(jìn)行有針對(duì)性的優(yōu)化。

此外，全面的開發(fā)資源已成為高性價(jià)比 MCU 的標(biāo)配。

結(jié)語

在 MCU 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的當(dāng)下，高性價(jià)比 MCU 的集中涌現(xiàn)絕非簡單的產(chǎn)品迭代，而是產(chǎn)業(yè)從 “價(jià)格紅海” 邁向 “價(jià)值藍(lán)海” 的關(guān)鍵轉(zhuǎn)變。從 Arm Cortex-M 系列內(nèi)核的深度優(yōu)化，到存儲(chǔ)資源與外設(shè)集成度的跨越式升級(jí)，再到低功耗技術(shù)與開發(fā)生態(tài)的全方位革新，這些新品正憑借 “夠用且均衡” 的硬實(shí)力，重新定義 MCU 的價(jià)值標(biāo)準(zhǔn)。因此，這場(chǎng)性價(jià)比革命的本質(zhì)是以技術(shù)創(chuàng)新打破內(nèi)卷困局，讓 MCU 真正成為連接場(chǎng)景需求與產(chǎn)業(yè)升級(jí)的價(jià)值紐帶。